Si&GaN射頻芯片

              ZS2731-5/20/75/130

              ZS3135-5/20/60/90S

              GL-BFT92

              GL-NE02100

              射頻大功率器件

              ZS2731系列,工作頻率2.7-3.1GHz,輸出功率5W、20W、75W、130W微波功率器件,效率30%-45%。

              ZS3135系列,工作頻率3.1-3.5GHz,輸出功率5W、20W、60W、90W微波功率器件,效率30%-35%。

              PNP微波低噪聲晶體管芯片

              5G PNP silicon,特性對應BF92。

              GL-BFT92是一種具有卓越高頻特性的硅PNP平面外延型晶體管芯片。該芯片管芯面積適中,阻抗易匹配,主要應用于VHF、UHF和微波頻率的低噪聲、寬帶放大器等領域,具有較高的電性能和極高的可靠性。   詳細信息》

              NPN微波低噪聲晶體管芯片

              8G NPN silicon,特性對應NE02100。

              GL-NE02100是一種具有卓越高頻特性的硅NPN平面外延型晶體管芯片。該芯片采用周期為5μm的梳狀發射極結構,管芯面積適中,阻抗易匹配,主要應用于VHF、UHF和微波頻率的低噪聲、寬帶放大器等領域。該芯片采用硅微波功率器件專用生產線生產,具有較高的電性能和極高的可靠性。  詳細信息》



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