Si&GaN射頻芯片

ZS2731-5/20/75/130

ZS3135-5/20/60/90S

GL-BFT92

GL-NE02100

射頻大功率器件

ZS2731系列，工作頻率2.7-3.1GHz，輸出功率5W、20W、75W、130W微波功率器件，效率30%-45%。

ZS3135系列，工作頻率3.1-3.5GHz，輸出功率5W、20W、60W、90W微波功率器件，效率30%-35%。

硅PNP微波低噪聲晶體管芯片

5G PNP silicon，特性對應BF92。

GL-BFT92是一種具有卓越高頻特性的硅PNP平面外延型晶體管芯片。該芯片管芯面積適中，阻抗易匹配，主要應用于VHF、UHF和微波頻率的低噪聲、寬帶放大器等領域，具有較高的電性能和極高的可靠性。   詳細信息》

硅NPN微波低噪聲晶體管芯片

8G NPN silicon，特性對應NE02100。

GL-NE02100是一種具有卓越高頻特性的硅NPN平面外延型晶體管芯片。該芯片采用周期為5μm的梳狀發射極結構，管芯面積適中，阻抗易匹配，主要應用于VHF、UHF和微波頻率的低噪聲、寬帶放大器等領域。該芯片采用硅微波功率器件專用生產線生產，具有較高的電性能和極高的可靠性。  詳細信息》